APTGT50X60T3G, IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP3F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 26 800 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 176 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 11.5 mm |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
| Длина | 73.4 mm |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Hex |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SP-3 |
| Ширина | 40.8 mm |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
