MSC015SMA070B4, MOSFET MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 270 руб.
от 30 шт. —
8 000 руб.
от 120 шт. —
6 960 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 270 руб.
Описание
The Microchip silicon carbide power MOSFET product line from Micro semi increases the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high-voltage applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 99 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 55 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 5236 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
