MASTERGAN1, Gate Drivers High-density power driver-high volt enhance mode GaN half bridge w/gate driver
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
623 шт., срок 7-9 недель
4 120 руб.
от 10 шт. —
3 610 руб.
от 25 шт. —
2 890 руб.
от 100 шт. —
2 679.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Power Management ICs\Gate Drivers
MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage DriversSTMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high power density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R DS(ON) of 150mΩ and 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Development Kit: | EVALMASTERGAN1 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1560 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Drivers: | 2 Driver |
| Number of Outputs: | 1 Output |
| Operating Supply Current: | 680 uA |
| Output Current: | 10 A |
| Package / Case: | QFN-31 |
| Packaging: | Tray |
| Product Category: | Gate Drivers |
| Product Type: | Gate Drivers |
| Product: | Half-Bridge Drivers |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
| Series: | MASTERGAN |
| Shutdown: | Shutdown |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
| Supply Voltage - Max: | 9.5 V |
| Supply Voltage - Min: | 4.75 V |
| Type: | High-Side, Low-Side |
| Applications | Power Supplies |
| Base Product Number | MASTERGAN1 -> |
| Current - Supply | 800ВµA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 125В°C (TJ) |
| Package | Tray |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Supplier Device Package | 31-QFN (9x9) |
| Voltage - Supply | 4.75V ~ 9.5V |
| IC Case / Package | QFN |
| Количество Выводов | 31вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 2канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Полумост |
| Линейка Продукции | MasterGaN |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 9.5В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 4.75В |
| Стиль Корпуса Привода | QFN |
| Тип переключателя питания | GaN HEMT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet MASTERGAN1
pdf, 508 КБ
Datasheet MASTERGAN1
pdf, 521 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
