MJD122-1, Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector

MJD122-1, Darlington Transistors NPN PWR Darlington Int Anti Collector
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4937 шт., срок 6-8 недель
290 руб.
от 10 шт.260 руб.
от 75 шт.165 руб.
от 525 шт.128.69 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 290 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004826865
Артикул: MJD122-1
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington Transistors
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, TO-251AA, PLASTIC/EPOXY, 3 PIN

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
DC Current Gain hFE Max: 12000
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 75
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Collector Cut-off Current: 10 uA
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-251-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 20 W
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Series: MJD122
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Configuration Single
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 2@16mA@4A|4@80mA@8A V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Minimum DC Current Gain 100@8A@4V|1000@4A@4V
Mounting Through Hole
Package 3TO-251
Packaging Bulk
Peak DC Collector Current 5 A
Rad Hard No
Type NPN
Вес, г 0.34

Техническая документация

Datasheet
pdf, 576 КБ
Datasheet
pdf, 566 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.