STD5NM60-1, MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2077 шт., срок 7-9 недель

800 руб.

от 10 шт. — 610 руб.

от 100 шт. — 438 руб.

от 250 шт. — 409.27 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 800 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004827994

Артикул: STD5NM60-1

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 3,1А, Idm: 20А, 96Вт, IPAK Характеристики

Id - непрерывный ток утечки	5 A
Pd - рассеивание мощности	96 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Высота	6.2 mm
Длина	6.6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2.4 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	STD5NM60
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	23 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251-3
Ширина	2.4 mm
Вес, г	4

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем