STF8N65M5, MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11 шт., срок 7-9 недель
890 руб.
от 10 шт. —
710 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 4,4А, 25Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 14 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF8N65M5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Base Product Number | STF8 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў V -> |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 11 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 25 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 600 mOhms |
| Rise Time | 14 ns |
| RoHS | Details |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns |
| Unit Weight | 0.01164 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
