STGAP2SICSC, Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs

Фото 1/2 STGAP2SICSC, Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1820 шт., срок 7-9 недель
880 руб.
от 10 шт.740 руб.
от 25 шт.483 руб.
от 100 шт.461.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 880 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8004828482
Артикул: STGAP2SICSC
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Power Management ICs\Isolated Gate Drivers
STGAP2SiCD Galvanically Isolated Dual Gate Driver

STMicroelectronics STGAP2SiCD Galvanically Isolated 4A Dual Gate Driver is designed for galvanic isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The STGAP2SiCD gate driver is defined by 4A current capability and rail-to-rail outputs, ideal for mid and high power applications such as power conversion and industrial motor drivers inverters.

Технические параметры

Brand: STMicroelectronics
Configuration: Non-Inverting
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 800
Fall Time: 30 ns
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +125 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Drivers: 1 Driver
Number of Outputs: 1 Output
Output Current: 4 A
Package / Case: SO-8W
Packaging: Tube
Product Category: Isolated Gate Drivers
Product Type: Isolated Gate Drivers
Product: Isolated Gate Drivers
Propagation Delay - Max: 90 ns
Rise Time: 30 ns
Series: STGAP2SICS
Subcategory: PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max: 5.5 V
Supply Voltage - Min: 3 V
Technology: SiC
Type: Half-Bridge
IC Case / Package WSOIC
Задержка Выхода 75нс
Задержка по Входу 75нс
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Конфигурация Привода Полумост
Максимальная Рабочая Температура 125°C
Максимальное Напряжение Питания 26В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 16.4В
Стиль Корпуса Привода WSOIC
Тип переключателя питания MOSFET
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet STGAP2SICS
pdf, 543 КБ
Документация
pdf, 553 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Переключатели распределения питания, драйверы нагрузки»
Типы корпусов импортных микросхем

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.