BC33740BU, Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 800mA HFE/630
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
79 руб.
от 100 шт. —
35 руб.
от 1000 шт. —
17.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Посмотреть аналоги20
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,8А, 625мВт, TO92 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 800 mA |
DC Current Gain hFE Max: | 630 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum DC Collector Current: | 800 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Bulk |
Part # Aliases: | BC33740BU_NL |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | BC337 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Category | Bipolar Small Signal |
Collector Current (DC) | 0.8(A) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 250 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Frequency | 100(MHz) |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-92 |
Packaging | Bag |
Pin Count | 3 |
Power Dissipation | 0.625(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 800 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов