BUT11A, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor

Фото 1/3 BUT11A, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
490 руб.
от 10 шт.390 руб.
от 100 шт.294 руб.
от 250 шт.272.04 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 490 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004832901
Артикул: BUT11A

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Collector- Base Voltage VCBO: 1 kV
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 450 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 5 A
Emitter- Base Voltage VEBO: 9 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 200
Manufacturer: onsemi
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Part # Aliases: BUT11A_NL
Pd - Power Dissipation: 100 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BUT11A
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Category Bipolar Power
Collector Current (DC) 5(A)
Collector-Base Voltage 1000(V)
Configuration Single
Emitter-Base Voltage 9(V)
Mounting Through Hole
Number of Elements 1
Operating Temp Range -65C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Output Power Not Required(W)
Package Type TO-220
Packaging Bag
Pin Count 3+Tab
Power Dissipation 100(W)
Rad Hardened No
Transistor Polarity NPN
Вес, г 1.8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 159 КБ
Datasheet BUT11A
pdf, 159 КБ
BUT11, BUT11A
pdf, 159 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов