BUT11A, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
500 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
300 руб.
от 250 шт. —
277.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный транзистор, NPN, 450 В, 5 А, 100 Вт
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 1 kV |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 450 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 5 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 200 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Part # Aliases: | BUT11A_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | BUT11A |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Category | Bipolar Power |
| Collector Current (DC) | 5(A) |
| Collector-Base Voltage | 1000(V) |
| Configuration | Single |
| Emitter-Base Voltage | 9(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-220 |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3+Tab |
| Power Dissipation | 100(W) |
| Rad Hardened | No |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
