CSD18509Q5BT, MOSFET 40V,NCh NexFET Pwr MOSFET
![CSD18509Q5BT, MOSFET 40V,NCh NexFET Pwr MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/219/DOC027219472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
от 100 шт. —
328 руб.
от 250 шт. —
296.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
VSON-CLIP-8(6x5) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
Fall Time: | 11 ns |
Forward Transconductance - Min: | 180 S |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
Pd - Power Dissipation: | 195 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 150 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.3 mOhms |
Rise Time: | 19 ns |
Series: | CSD18509Q5B |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
Вес, г | 0.02 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары