CSD18509Q5BT, MOSFET 40V,NCh NexFET Pwr MOSFET

CSD18509Q5BT, MOSFET 40V,NCh NexFET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
560 руб.
от 10 шт.440 руб.
от 100 шт.328 руб.
от 250 шт.296.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 руб.
Номенклатурный номер: 8004997233
Артикул: CSD18509Q5BT
Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
VSON-CLIP-8(6x5) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 250
Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance - Min: 180 S
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: VSON-CLIP-8
Pd - Power Dissipation: 195 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 150 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.3 mOhms
Rise Time: 19 ns
Series: CSD18509Q5B
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: NexFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 57 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.8 V
Вес, г 0.02

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов