2N2904 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W

2N2904 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 0.6A 0.8W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
179 шт., срок 6-8 недель
690 руб.
от 10 шт.540 руб.
от 100 шт.406 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 690 руб.
Номенклатурный номер: 8005049484
Артикул: 2N2904 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 40
DC Current Gain hFE Max: 120
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 500
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-39
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 800 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 1.01

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.