2N2907 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2426 шт., срок 7-9 недель

710 руб.

от 10 шт. — 560 руб.

от 100 шт. — 419 руб.

от 250 шт. — 361.27 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 710 руб.

Номенклатурный номер: 8005049487

Артикул: 2N2907 PBFREE

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.6 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	100
DC Current Gain hFE Max:	300
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Gain Bandwidth Product fT:	200 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	600 mA
Maximum Operating Temperature:	+200 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-18-3
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	400 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	0.93

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем