2N3734 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT . .
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
412 шт., срок 6-8 недель
2 720 руб.
от 10 шт. —
2 210 руб.
от 25 шт. —
1 880 руб.
от 100 шт. —
1 604.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 720 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 900 mV |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330075.jpg)
![Транзистор BU808DFX, тип NPN, 160 Вт, корпус ISO-WATT218 ,ST [BU808DFI]](https://static.chipdip.ru/lib/126/DOC011126176.jpg)
