2N4410 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 120Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 250mA 625mW

2N4410 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 120Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 250mA 625mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1119 шт., срок 6-8 недель
140 руб.
от 10 шт.120 руб.
от 100 шт.81 руб.
от 500 шт.61.14 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.
Номенклатурный номер: 8005049569
Артикул: 2N4410 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 120 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 200 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 250 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 60
DC Current Gain hFE Max: 400
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 250 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.45

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.