2N4416A TIN/LEAD, JFET N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
444 шт., срок 7-9 недель
1 840 руб.
от 10 шт. —
1 550 руб.
от 25 шт. —
1 360 руб.
от 100 шт. —
1 167.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 840 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 15 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | 6 V |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-72-4 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Series: | 2N4416A |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 35 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 35 V |
| Вес, г | 0.43 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1122 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
