BC846BLP4-7B, Bipolar Transistors - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA

Фото 1/5 BC846BLP4-7B, Bipolar Transistors - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
91 руб.
от 10 шт.61 руб.
от 100 шт.24 руб.
от 1000 шт.13.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 91 руб.
Номенклатурный номер: 8005058123
Артикул: BC846BLP4-7B
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 220 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200 at 2 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max: 450 at 2 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: X2-DFN1006-3
Pd - Power Dissipation: 460 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: BC846
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Collector Emitter Voltage Max 65В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 200hFE
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation 460мВт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции BC846
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора X2-DFN1006
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 300МГц
Maximum Collector Base Voltage 80 V
Maximum Collector Emitter Voltage 65 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 300 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1 W
Minimum DC Current Gain 200
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type X2-DFN1006
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Automotive No
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape No Lead
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9@0.5mA@10mA
Maximum Collector Base Voltage (V) 80
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 65
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1000
Maximum Transition Frequency (MHz) 300(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Standard Package Name DFN
Supplier Package X2-DFN
Type NPN
Вес, г 9

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 389 КБ
Datasheet
pdf, 425 КБ
Datasheet
pdf, 145 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов