BCX5316-13R, Bipolar Transistors - BJT PNP Med PWR -1A 10 and 16 -500mV

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

150 руб.

от 10 шт. — 130 руб.

от 100 шт. — 81 руб.

от 500 шт. — 60.10 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.

Номенклатурный номер: 8005058174

Артикул: BCX5316-13R

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	40 at-150 mA, -2 V
DC Current Gain hFE Max:	250 at-150 mA, -2 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	4000
Gain Bandwidth Product fT:	150 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	1 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-89-3
Pd - Power Dissipation:	1 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	BCX53
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	0.05