DDA123JU-7-F, Digital Transistors 200MW 2.2K 47K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
77 руб.
от 100 шт. —
30 руб.
от 1000 шт. —
19.52 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
| DC Current Gain hFE Max: | 80 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Series: | DDA123 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Typical Input Resistor: | 2.2 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 0.05 |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 406 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![КТ805БМ, Биполярный транзистор, NPN, 60В, 5А, 30Вт, h21e= 15 [КТ-28 / TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2N3439, Транзистор NPN 350В 1А [TO-39]](https://static.chipdip.ru/lib/691/DOC005691789.jpg)
![2SA1360, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-0.05А, Vceo=-150В, Vcbo=-150В, Pd=5Вт [TO-126]](https://static.chipdip.ru/lib/278/DOC005278800.jpg)
![2N6488G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC000583324.jpg)
