DDC114EH-7, Digital Transistors 150MW 10K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
69 руб.
от 100 шт. —
27 руб.
от 1000 шт. —
15.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
Collector Emitter Voltage Max PNP | - |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
Power Dissipation | 150мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 6 ??????? |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-563 |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
Полярность Транзистора | Двойной NPN |
Полярность Цифрового Транзистора | ??????? NPN |
Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | - |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
Вес, г | 0.003 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары