DMN15H310SK3-13, MOSFET 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A

DMN15H310SK3-13, MOSFET 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт.160 руб.
от 100 шт.100 руб.
от 500 шт.81.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
Номенклатурный номер: 8005059164
Артикул: DMN15H310SK3-13
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Id - Continuous Drain Current: 8.3 A
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-252-3
Pd - Power Dissipation: 32 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 8.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 310 mOhms
Series: DMN15H310
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 0.34

Техническая документация

Datasheet
pdf, 440 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов