DMN15H310SK3-13, MOSFET 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
100 руб.
от 500 шт. —
81.02 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Id - Continuous Drain Current: | 8.3 A |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 32 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 8.7 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 310 mOhms |
Series: | DMN15H310 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 440 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов