TP2104N3-G-P003, MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

260 руб.

от 25 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 177 руб.

от 2000 шт. — 154.09 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.

Номенклатурный номер: 8005187632

Артикул: TP2104N3-G-P003

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор P-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	250 mA
Pd - рассеивание мощности	740 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	10 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	4 ns
Время спада	5 ns
Высота	5.33 mm
Длина	5.21 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	5 ns
Типичное время задержки при включении	4 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	4.19 mm
Вес, г	0.3