AIKQ100N60CTXKSA1, IGBT Transistors DISCRETES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 830 руб.
от 10 шт. —
3 210 руб.
от 25 шт. —
2 920 руб.
от 50 шт. —
2 753.68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 830 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
IGBT, AEC-Q101, 600V, 160A, 714W, TO-247; DC Collector Current:160A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.5V; Power Dissipation Pd:714W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:TRENCHSTOP Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 160 A |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | AIKQ100N60CT SP001346798 |
| Pd - Power Dissipation: | 714 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1864 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
