BCV47E6327HTSA1, Darlington Transistors AF Trans Darlington NPN 60V 0.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
74 руб.
от 100 шт. —
36 руб.
от 1000 шт. —
26.71 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington Transistors
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 60 В, 0.8 А, 0.36 Вт
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Infineon |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Part # Aliases: | BCV 47 E6327 SP000010866 |
Product Category: | Darlington Transistors |
Product Type: | Darlington Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Series: | BCV47 |
Subcategory: | Transistors |
Configuration | Single |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Maximum Collector Cut-off Current | 0.01mA |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum Continuous Collector Current | 500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 360 mW |
Minimum DC Current Gain | 2000 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Width | 1.3mm |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
Factory Pack Quantity | 18000 |
Manufacturer | Infineon |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | 47 BCV BCV47E6327XT E6327 SP000010866 |
Product Category | Darlington Transistors |
RoHS | Details |
Series | BCV47 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов