BF 776 H6327, RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
84 руб.
от 500 шт. —
63.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
RF Transistors Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe: C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Infineon |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | SP000745164 BF776H6327XTSA1 |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Type: | Bipolar Power |
Type: | RF Bipolar Power |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов