DF100R07W1H5FPB54BPSA2, IGBT Modules EASY STANDARD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 510 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 510 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
Вид монтажа | Press Fit |
Другие названия товара № | DF100R07W1H5FP_B54 SP001650156 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP EasyPACK CoolSIC |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | Trenchstop 5 H5 |
Технология | SiC |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | Module |
Base Product Number | DF100R07 -> |
Configuration | 2 Independent |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 40ВµA |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input | Standard |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Chassis Mount |
NTC Thermistor | Yes |
Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tray |
Package / Case | Module |
Power - Max | 20mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | EasyPACKв„ў -> |
Supplier Device Package | Module |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 50А |
DC Ток Коллектора | 50А |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
Линейка Продукции | EasyPACK TRENCHSTOP |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.35В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Stop 5 H5/CoolSiC |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DF100R07W1H5FPB54BPSA2
pdf, 699 КБ
Datasheet DF100R07W1H5FPB54BPSA2
pdf, 660 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов