FF500R17KE4BOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM

FF500R17KE4BOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
60 800 руб.
от 10 шт.53 080 руб.
от 20 шт.51 190 руб.
от 50 шт.51 042.55 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 60 800 руб.
Номенклатурный номер: 8005239652
Артикул: FF500R17KE4BOSA1

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.95В
Collector Emitter Voltage Max 1.7кВ
Continuous Collector Current 500А
DC Ток Коллектора 500А
Выводы БТИЗ Stud
Конфигурация БТИЗ Dual(Half Bridge)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.95В
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 4(Trench/Field Stop)

Техническая документация

Datasheet
pdf, 590 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов