FF500R17KE4BOSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 800 руб.
от 10 шт. —
53 080 руб.
от 20 шт. —
51 190 руб.
от 50 шт. —
51 042.55 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 60 800 руб.
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.95В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 500А |
DC Ток Коллектора | 500А |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.95В |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 590 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары