FP150R12KT4P_B11, IGBT Modules LOW POWER ECONO

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

56 650 руб.

от 12 шт. — 49 400 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 56 650 руб.

Номенклатурный номер: 8005239666

Артикул: FP150R12KT4P_B11

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Pd - рассеивание мощности	20 mW
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	FP150R12KT4PB11BPSA1 SP001603806
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Hex
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	150 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	6
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon / IR
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	EconoPIM 3
Вес, г	1