IKA10N60T, IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A

IKA10N60T, IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
550 руб.
от 10 шт.430 руб.
от 100 шт.326 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 550 руб.
Номенклатурный номер: 8005240028
Артикул: IKA10N60T

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 10A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 30 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 9.25 mm
Длина 10 mm
Другие названия товара № SP000215376 IKA10N60TXKSA1
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 11.7 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 500
Серия Trenchstop IGBT3
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3 FP
Ширина 4.4 mm
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IKA10N60T
pdf, 510 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов