IPW65R045C7FKSA1, MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 930 руб.
от 10 шт. —
2 780 руб.
от 25 шт. —
2 190 руб.
от 50 шт. —
2 182.73 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 930 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор полевой IPW65R045C7FKSA1 от производителя INFINEON объединяет в себе высокие технологические характеристики и надежность. Этот N-MOSFET транзистор предназначен для монтажа в отверстия (THT) и подходит для мощных применений благодаря току стока в 46 А и напряжению сток-исток, достигающему 650 В. С мощностью в 227 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,045 Ом, он обеспечивает высокоэффективное управление и минимальные потери мощности. Компонент заключён в надёжный корпус PG-TO247, который подходит для широкого спектра электронных устройств. Код товара IPW65R045C7FKSA1 гарантирует, что вы получите именно тот компонент, который отвечает всем вашим техническим требованиям. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 46 |
Напряжение сток-исток, В | 650 |
Мощность, Вт | 227 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.045 |
Корпус | PG-TO247 |
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 240 |
Fall Time: | 7 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 46 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IPW65R045C7 SP000929412 |
Pd - Power Dissipation: | 227 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 93 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
Rise Time: | 14 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 82 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
Вес, г | 7.977 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1943 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов