CY14B104NA-BA45XI, NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM

CY14B104NA-BA45XI, NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9 300 руб.
от 10 шт.8 040 руб.
от 25 шт.7 210 руб.
от 50 шт.6 759.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 300 руб.
Номенклатурный номер: 8005242396
Артикул: CY14B104NA-BA45XI

Описание

Полупроводниковые приборы\ИС памяти\NVRAM
NVRAM 4 МБ 3 В 45 нс 256 КБ x 16 nvSRAM

Технические параметры

Категория продукта NVRAM
Подкатегория Memory Data Storage
Производитель Cypress Semiconductor
Размер фабричной упаковки 299
Серия CY14B104NA
Тип продукта NVRAM
Торговая марка Cypress Semiconductor
Упаковка Tray
Automotive No
Chip Density (bit) 4M
ECCN (US) 3A991.b.2.a
EU RoHS Compliant
Interface Type Parallel
Lead Shape Ball
Maximum Access Time (ns) 45
Maximum Operating Supply Voltage (V) 3.6
Maximum Operating Temperature (°C) 85
Minimum Operating Supply Voltage (V) 2.7
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Surface Mount
NVRAM Type NVSRAM
Operating Current (mA) 52
Organization 256Kx16
Packaging Tray
Part Status Active
PCB changed 48
Pin Count 48
PPAP No
Process Technology QuantumTrap
Standard Package Name BGA
Supplier Package FBGA
Supplier Temperature Grade Industrial
Typical Operating Supply Voltage (V) 3
Вес, г 0.1192

Техническая документация

Datasheet
pdf, 734 КБ
Datasheet
pdf, 747 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем