CY14B104NA-ZS45XI, NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 320 руб.
от 10 шт. —
8 060 руб.
от 25 шт. —
7 220 руб.
от 50 шт. —
7 213.82 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 320 руб.
Описание
Semiconductors\Memory ICs\NVRAM
CY14B nvSRAM Infineon Technologies CY14B nvSRAM family brings together Fast SRAM and SONOS non-volatile into one ultra reliable line of products. Infineon Technologies nvSRAM devices are the journal memory of choice in over half of the RAID systems worldwide.
Технические параметры
| Access Time: | 45 ns |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Data Bus Width: | 16 bit |
| Factory Pack Quantity: | 675 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Memory Size: | 4 Mbit |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Supply Current: | 70 mA |
| Organisation: | 256 k x 16 |
| Package/Case: | TSOP-44 |
| Packaging: | Tray |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | NVRAM |
| Product Type: | NVRAM |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 734 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
