CY14B104NA-ZSP45XI, NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 510 руб.
от 10 шт. —
7 260 руб.
от 25 шт. —
6 520 руб.
от 50 шт. —
6 310.62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 510 руб.
Описание
Semiconductors\Memory ICs\NVRAM
CY14B nvSRAM Infineon Technologies CY14B nvSRAM family brings together Fast SRAM and SONOS non-volatile into one ultra reliable line of products. Infineon Technologies nvSRAM devices are the journal memory of choice in over half of the RAID systems worldwide.
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Factory Pack Quantity: | 216 |
Manufacturer: | Infineon |
Moisture Sensitive: | Yes |
Packaging: | Tray |
Product Category: | NVRAM |
Product Type: | NVRAM |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Access Time | 45ns |
Base Part Number | CY14B104 |
Manufacturer | Cypress Semiconductor Corp |
Memory Format | NVSRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 4Mb(256K x 16) |
Memory Type | Non-Volatile |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C(TA) |
Package / Case | 54-TSOP(0.400", 10.16mm Width) |
Packaging | Tray |
Part Status | Active |
Supplier Device Package | 54-TSOP II |
Technology | NVSRAM(Non-Volatile SRAM) |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Write Cycle Time - Word, Page | 45ns |
Вес, г | 0.58 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем