CY62157EV30LL-45ZSXIT, SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
![CY62157EV30LL-45ZSXIT, SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM](https://static.chipdip.ru/lib/399/DOC043399380.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 660 руб.
от 10 шт. —
3 220 руб.
от 25 шт. —
2 940 руб.
от 100 шт. —
2 390.57 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 660 руб.
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
MOBL™ Async SRAMs Infineon Technologies MOBL™ Async SRAM devices comprise a broad portfolio with densities ranging from 64Kb to 64Mb. The MOBL SRAMs are available in industry-standard voltage, bus width, and package options. The devices offer Standby Power Dissipation (maximum) specifications. The MOBL Asynchronous SRAMs are ideal for battery-powered and battery-backed solutions across various application segments. The MOBL SRAM devices are available in industrial, automotive, and radiation-hardened temperature grades.
Технические параметры
Access Time: | 45 ns |
Brand: | Infineon Technologies |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Interface Type: | Parallel |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Memory Size: | 8 Mbit |
Memory Type: | Volatile |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Ports: | 1 |
Organisation: | 512 k x 16 |
Package/Case: | TSOP-44 |
Product Category: | SRAM |
Product Type: | SRAM |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 25 mA |
Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
Supply Voltage - Min: | 2.2 V |
Type: | Asynchronous |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 597 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары