Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ

CY7C1399BN-12VXIT, SRAM 256Kb 3.3V 12ns 32K x 8 SRAM

CY7C1399BN-12VXIT, SRAM 256Kb 3.3V 12ns 32K x 8 SRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
920 руб.
от 10 шт.770 руб.
от 100 шт.607 руб.
от 250 шт.561.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 920 руб.
Номенклатурный номер: 8005242690
Артикул: CY7C1399BN-12VXIT

Описание

Semiconductors\Memory ICs\SRAM
CY7C1399BN 256K CMOS Static RAM Infineon Technologies CY7C1399BN 256K CMOS Static RAM is a high-performance 3.3V CMOS static RAM device organized as 32.768 words by 8 bits (256K). Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable and active LOW Output Enable and tri-state drivers.

Технические параметры

Access Time: 12 ns
Brand: Infineon Technologies
Factory Pack Quantity: 1000
Interface Type: Parallel
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 256 kbit
Memory Type: Volatile
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Ports: 1
Organisation: 32 k x 8
Package/Case: SOJ-28
Product Category: SRAM
Product Type: SRAM
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 55 mA
Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 3 V
Type: Asynchronous
Access Time 12 ns
Brand Cypress Semiconductor
Data Rate SDR
Factory Pack Quantity 1000
Interface Type Parallel
Manufacturer Cypress Semiconductor
Maximum Operating Temperature +85 C
Memory Size 256 kbit
Memory Type SDR
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Number of Ports 1
Organization 32 k x 8
Package / Case SOJ-28
Packaging Reel
Product Category SRAM
RoHS Details
Series CY7C1399BN
Supply Current - Max 55 mA
Supply Voltage - Max 3.6 V
Supply Voltage - Min 3 V
Type Asynchronous
Вес, г 0.87

Техническая документация

Datasheet
pdf, 340 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем