FMM150-0075X2F, MOSFET MOSFET NCH
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 490 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 490 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, TrenchT2™, полевой, 75В, 120А, Idm: 500A Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | ISOPLUS i4-PAC-5 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 178 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.8 mOhms |
| Rise Time: | 18 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 23 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 177 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
