IXBH20N300, IGBT Transistors IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

12 130 руб.

от 10 шт. — 9 800 руб.

от 30 шт. — 8 580 руб.

от 60 шт. — 8 288.72 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 12 130 руб.

Номенклатурный номер: 8005249783

Артикул: IXBH20N300

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 50А, 250Вт, TO247 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	250 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	21.46 mm
Длина	16.26 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	BIMOSFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	3 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	50 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	50 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	+/- 100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Ширина	5.3 mm
Вес, г	1.6

pdf, 173 КБ

Мы рекомендуем