IXFH36N50P, MOSFET 500V 36A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 950 руб.
от 10 шт. —
2 590 руб.
от 30 шт. —
2 070 руб.
от 120 шт. —
1 740.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 950 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V 36A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 36 A |
| Pd - рассеивание мощности | 540 W |
| Qg - заряд затвора | 93 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 36 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXFH36N50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.3 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 170 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 540 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AD |
| Pin Count | 3 |
| Series | HiperFET, Polar |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
