IXFK44N50P, MOSFET 500V 44A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 460 руб.
от 10 шт. —
2 900 руб.
от 25 шт. —
2 260 руб.
от 50 шт. —
2 178.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 460 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V 44A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 44 A |
Pd - рассеивание мощности | 650 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 29 ns |
Время спада | 27 ns |
Высота | 26.16 mm |
Длина | 19.96 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HyperFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 32 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 25 |
Серия | IXFK44N50 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 85 ns |
Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Ширина | 5.13 mm |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.14Ом |
Power Dissipation | 658Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Polar HiperFET |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 44А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 658Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.14Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-264 |
Вес, г | 28 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов