IXFK44N50P, MOSFET 500V 44A

Фото 1/2 IXFK44N50P, MOSFET 500V 44A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 460 руб.
от 10 шт.2 900 руб.
от 25 шт.2 260 руб.
от 50 шт.2 178.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 460 руб.
Номенклатурный номер: 8005249909
Артикул: IXFK44N50P
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V 44A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 44 A
Pd - рассеивание мощности 650 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 140 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 29 ns
Время спада 27 ns
Высота 26.16 mm
Длина 19.96 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HyperFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 32 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 25
Серия IXFK44N50
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 85 ns
Типичное время задержки при включении 28 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-264-3
Ширина 5.13 mm
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.14Ом
Power Dissipation 658Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции Polar HiperFET
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 500В
Непрерывный Ток Стока 44А
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 658Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.14Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-264
Вес, г 28

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов