IXFT220N20X3HV, MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
![Фото 1/2 IXFT220N20X3HV, MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44](https://static.chipdip.ru/lib/859/DOC043859470.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/409/DOC043409018.jpg)
5 600 руб.
от 10 шт. —
4 460 руб.
от 30 шт. —
4 160 руб.
от 60 шт. —
3 747.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 200В, 220А, 960Вт, TO268, 116с Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 30 |
Fall Time: | 17 ns |
Forward Transconductance - Min: | 70 S |
Id - Continuous Drain Current: | 220 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-268-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 890 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 204 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.2 mOhms |
Rise Time: | 27 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 155 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 37 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1683 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары