IXFT220N20X3HV, MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

Фото 1/2 IXFT220N20X3HV, MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 600 руб.
от 10 шт.4 460 руб.
от 30 шт.4 160 руб.
от 60 шт.3 747.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 600 руб.
Номенклатурный номер: 8005249992
Артикул: IXFT220N20X3HV
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор N-MOSFET, X3-Class, 200В, 220А, 960Вт, TO268, 116с Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: IXYS
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 30
Fall Time: 17 ns
Forward Transconductance - Min: 70 S
Id - Continuous Drain Current: 220 A
Manufacturer: IXYS
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-268-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 890 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 204 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 6.2 mOhms
Rise Time: 27 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 155 ns
Typical Turn-On Delay Time: 37 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1683 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов