IXFT32N100XHV, MOSFET 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 300 руб.

от 10 шт. — 4 980 руб.

от 30 шт. — 4 650 руб.

от 60 шт. — 4 189.73 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 300 руб.

Номенклатурный номер: 8005249998

Артикул: IXFT32N100XHV

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 1000V 32A TO-268HV Power МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	32 A
Pd - рассеивание мощности	890 W
Qg - заряд затвора	130 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	220 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	1 kV
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns
Время спада	12 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	HiPerFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	14 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	30
Серия	X-Class
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	29 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-268-3
Чувствительный к влажности	Yes
Вес, г	4