2N7002-G, MOSFET BVDD=60V ID=200mA

2N7002-G, MOSFET BVDD=60V ID=200mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт.72 руб.
от 100 шт.44 руб.
от 1000 шт.18.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.
Номенклатурный номер: 8005254455
Артикул: 2N7002-G
Бренд: Comchip Technology

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Comchip Technology
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 20 ns
Forward Transconductance - Min: 300 mS
Id - Continuous Drain Current: 115 mA
Manufacturer: Comchip Technology
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 7.5 Ohms
Rise Time: 20 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 109 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов