BC858BW-G, Bipolar Transistors - BJT -30, -.1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
78 руб.
от 10 шт. —
54 руб.
от 100 шт. —
21 руб.
от 1000 шт. —
14.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 78 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Comchip Technology |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 30 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 650 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 220 |
| DC Current Gain hFE Max: | 475 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Comchip Technology |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-323-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 145 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
