CJ3139KDW-G, MOSFET MOSFET DUAL P-CHANNEL

CJ3139KDW-G, MOSFET MOSFET DUAL P-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт.110 руб.
от 100 шт.74 руб.
от 500 шт.54.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8005254864
Артикул: CJ3139KDW-G
Бренд: Comchip Technology

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Технические параметры

Brand: Comchip Technology
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 20.3 ns
Forward Transconductance - Min: 0.8 S
Id - Continuous Drain Current: 660 mA
Manufacturer: Comchip Technology
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package/Case: SOT-363-6
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance: 520 mOhms
Rise Time: 5.8 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 32.7 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 350 mV
Вес, г 0.006

Техническая документация

Datasheet
pdf, 122 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов