CJ3139KDW-G, MOSFET MOSFET DUAL P-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
74 руб.
от 500 шт. —
54.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
Brand: | Comchip Technology |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 20.3 ns |
Forward Transconductance - Min: | 0.8 S |
Id - Continuous Drain Current: | 660 mA |
Manufacturer: | Comchip Technology |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package/Case: | SOT-363-6 |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 520 mOhms |
Rise Time: | 5.8 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 32.7 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |
Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 122 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов