2SAR523MT2L, Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9461 шт., срок 7-9 недель
110 руб.
от 10 шт. —
80 руб.
от 100 шт. —
29 руб.
от 1000 шт. —
16.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения3
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-723 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SAR523EBTL
pdf, 2053 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
