2SAR544P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP -80V Vceo -2.5A Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1961 шт., срок 7-9 недель
190 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
99 руб.
от 500 шт. —
74.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 2.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@1A, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 3V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 280MHz |
| Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Maximum DC Collector Current | -2.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2SAR544P5T100
pdf, 1822 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
