2SAR562F3TR, Bipolar Transistors - BJT PNP -6A Ic -30V Vceo HUML2020L3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3530 шт., срок 7-9 недель

250 руб.

от 10 шт. — 210 руб.

от 100 шт. — 138 руб.

от 500 шт. — 104.09 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005258937

Артикул: 2SAR562F3TR

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP -6A Ic -30V Vceo HUML2020L3

Pd - рассеивание мощности	2.1 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	2SAR562F3
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	7 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	150 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	6 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	DFN2020-3S
Вес, г	1