Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › 2SAR572D3FRATL, Bipolar Transistors - BJT ...

2SAR572D3FRATL, Bipolar Transistors - BJT 2SAR572D3FRA is a power transistor with Low V sub CE(sat) -sub , suitable for low frequency amplif

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4224 шт., срок 7-9 недель

480 руб.

от 10 шт. — 350 руб.

от 100 шт. — 265 руб.

от 500 шт. — 213.73 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 480 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005258938

Артикул: 2SAR572D3FRATL

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	10 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-252-3
Collector Emitter Voltage Max	30В
Continuous Collector Current	5А
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	10Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Частота Перехода ft	300МГц
Вес, г	1