2SAR586D3TL1, Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE

Фото 1/2 2SAR586D3TL1, Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11300 шт., срок 7-9 недель
370 руб.
от 10 шт.290 руб.
от 100 шт.210 руб.
от 500 шт.165.98 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 370 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005258945
Артикул: 2SAR586D3TL1
Бренд: Rohm

Описание

2SAR586D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. Suitable for Power Driver.

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 80В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 120hFE
DC Усиление Тока hFE 120hFE
Power Dissipation 10Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 200МГц
Maximum Collector Base Voltage -80(V
Maximum Collector Emitter Voltage -80 V
Maximum DC Collector Current -5 A
Maximum Emitter Base Voltage -6 V
Maximum Operating Frequency 200 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 10 W
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1712 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.