2SAR586D3TL1, Bipolar Transistors - BJT PNP -80V -5A 10W Pwr trnstr Low VCE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11300 шт., срок 7-9 недель
370 руб.
от 10 шт. —
290 руб.
от 100 шт. —
210 руб.
от 500 шт. —
165.98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
2SAR586D3 is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. Suitable for Power Driver.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 5А |
DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
Power Dissipation | 10Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 200МГц |
Maximum Collector Base Voltage | -80(V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
Maximum DC Collector Current | -5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
Maximum Operating Frequency | 200 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 10 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.