2SCR502U3T106, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7827 шт., срок 7-9 недель

130 руб.

от 10 шт. — 88 руб.

от 100 шт. — 38 руб.

от 1000 шт. — 27.82 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Номенклатурный номер: 8005259037

Артикул: 2SCR502U3T106

Бренд: Rohm

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	360 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	UMT-3
Вес, г	1