2SCR522MT2L, Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3985 шт., срок 7-9 недель
110 руб.
от 10 шт. —
71 руб.
от 100 шт. —
28 руб.
от 1000 шт. —
15.67 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| Continuous Collector Current | 200мА |
| DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2027 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
